Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET RoHS: Detalhes Tecnologia: Si Estilo de montagem: Through Hole Caixa / Gabinete: TO-220-3 Polaridade do transistor: N-Channel Número de canais: 1 Channel Vds – Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V Id – Corrente de drenagem contínua: 11 A Rds On – Fonte de drenagem na resistência: 400 mOhms Vgs – Voltagem de porta e fonte: – 30 V, + 30 V Tensão de limite porta e fonte: 3 V Qg – Carga na porta: 40 nC Temperatura operacional mínima: – 65 C Temperatura operacional máxima: + 150 C Pd – Dissipação de potência: 160 W Modo de canal: Enhancement Série: STP11NM60FD Embalagem: Tube Marca: STMicroelectronics Configuração: Single Tempo de queda: 15 ns Transcondutância em avanço – Mín: 5.2 S Altura: 9.15 mm Comprimento:10.4 mm Tipo de Produto: MOSFET Tempo de ascensão: 16 ns
Garantia do vendedor: 1 meses
